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Q:何謂電漿濺鍍法(Plasma Sputtering Deposition)?
A: 電漿濺鍍法係在低真空度中(一般為在真空中充氬氣-Ar)及高電壓下產生輝光放電形成電漿，攜帶能量之正離子(Ar+)飛向陰極，轟擊陰極之薄膜材料(稱之為靶材-Target)表面而將靶材之原子或分子撞擊出且沈積在基板上，此法與前述熱蒸鍍法不同處在不是靠熱蒸發而是靠正離子之撞擊將原子或原子團一顆一顆的敲出靶面飛向基板而沈積為膜，其飛向基板之力比熱蒸鍍法大，故其薄膜之附著性相對好很多。
1.直流濺鍍(DC Sputtering Deposition)
直流電漿(DC Plasma)是一種最簡單的電漿產生方式，使用直流電漿之先決條件是兩個電極板的材料必須是導體，以避免帶電荷粒子在電極板的表面上累積，因為正電荷累積在陰極靶面上會阻止正電離子繼續轟擊靶材，甚至發生電崩潰(即原為電的不良導體之氣體變成部分離子化之氣體)，稱之為打火(Arcing)，此現象將造成膜質不良及靶材損傷。
所以，以DC電漿進行薄膜之濺鍍時，所沈積之薄膜材質須為電的導體(如鋁及鈦等金屬)。通常以“靶材”來表示用在濺鍍製程裡的陰電極板。隨著沈積製程陸續進行，金屬靶的厚度會愈來愈薄，因此應依需要而適時更換靶材。
2.射頻濺鍍(Radio-Frequency Sputtering Deposition)
因為直流電漿無法濺射介電材料(介電質)，此時可在介電質靶背加一金屬電極且改用射頻交流電，由於電子的速度比正離子的速度大，在射頻的正半週期已飛向靶面中和了負半週期所累積之正電荷，又因頻率太快，正離子一直留在電漿區，對靶材(陰極)乃維持相當高之正電位因此濺射得以繼續進行。
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