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技術應用
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2016/03/11
ALD PVD CVD 鍍膜製程優劣比較表
真空鍍膜技術比較表
項目
原子層沉積
(ALD)
物理式真空鍍膜
(PVD)
化學式真空鍍
(CVD)
沉積原理
表面反應-沉積
蒸發-凝固
氣相反應-沉積
沉積過程
層狀生長
形核長大
形核長大
臺階覆蓋率
優秀
一般
好
沉積速率
慢
快
快
沉積溫度
低
低
高
沉積層均勻性
優秀
一般
較好
厚度控制
反應迴圈次數
沉積時間
沉積時間,氣相分壓
成分
均勻,雜質少
無雜質
易含雜質,夾雜
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