News

真空鍍膜技術比較表

項目	原子層沉積(ALD)	物理式真空鍍膜(PVD)	化學式真空鍍(CVD)
沉積原理	表面反應-沉積	蒸發-凝固	氣相反應-沉積
沉積過程	層狀生長	形核長大	形核長大
臺階覆蓋率	優秀	一般	好
沉積速率	慢	快	快
沉積溫度	低	低	高
沉積層均勻性	優秀	一般	較好
厚度控制	反應迴圈次數	沉積時間	沉積時間，氣相分壓
成分	均勻，雜質少	無雜質	易含雜質，夾雜
【免責聲明】本文僅代表作者個人的資料整理，與歐周國際無關。其原創性以及文中陳述文字和內容未經本站證實,對本文以及其中全部或者部分內容、文字的真實性、完整性、及時性本站不作任何保證或承諾,請讀者僅作參考，並請自行核實相關內容。資料來源: google 搜尋